GB 7287.10-1987红外辐射加热器光谱法向发射率测量方法

GB7287.10-872.2.8辐射测温仪，精度不低于±1%。注：记录部分也可由A/D转换器，微型计算机及绘图仪组成的记录系统代替，系统精度不低于±2%。2.3参比涂料2.3.1参比涂料应具有下列性质：,化学性质稳定，在测试温度范围内涂覆于各种加热器表面均不发生化学变化：b.当厚度不小于0.2mm时，至少对2.5~15μm的红外辐射不透明：c,光谱法向发射率在测试温度范围内的平均温度变化率小于0.03×102/K,d.全法向发射率大于0.8，光谱辐射特性近似灰体。2.3.2所给参比涂料在测试温度范围内的光谱法向发射率数据，其精度应不低于±4%。3测量条件3.1环境温度20±5℃。3.2相对湿度不大于75%。3.3测量应在防尘防蔑的实验室中进行。4测量步骤4.1对待测试样施加额定工作电压，待温度稳定后，用辐射测温仪测定试样表面温度分布，并确定其中心部位的等温区以及等温区的工作温度，然后断电冷却至室温。4.2将试样固定在试样支架上，周整光学系统达到下列要求：4.2.1探测器光敏面与调制盘平面，光栏平面，试样辐射面及单色仪人射狭缝平面相互平行且共轴：4.2.2光学系统所决定的试样待测面积相对于探测器可作“点源”近似，且位于等温区内并小于等温区面积。4.3将控温仪热电偶焊接或粘接于待测面附近（在等温区内）。用控温仪将待测表面温度控制在其工作温度。待温度稳定后，开启单色仪的扫描装置，使之在2.5~15μm波长范围内进行连续扫描，同时使记录仪的走纸机构与之同步，测出放大系统输出的试样与调制盘差分光谱信号电压U随被长变化的关系曲线。4.4关闭控温仪，试样冷却至室温后，在等温区内均匀涂覆参比涂料，涂覆厚度为0.2mm,涂覆方法与获取其发射率数据的原测量方法中的一致。然后开启控温仪（设定温度与4.3条相同）。温度稳定后，按4.3条的方法测出放大系统输出的参比涂料与调制盘差分光谱信号电压U,随波长变化的关系曲线。4.5.移开试样，测量放大系统输出的背景与调制盘差分光谱信号电压Uw,随波长变化的关系曲线(方法同4.3条)。4.6用辐射测温仪测量等温区的表观工作温度T,。5测量结果计算按下式计算试样在工作温度下的光谱法向发射事，结果保留二位有效数字：8a=02±RaKP2en(UA-Uwa+Rx·K·P。A…△1)式中：￡x一试样在工作福度下的光谱法向发射率，无量纲：:,一一参比涂料在试样工作温度下的光谱法向发射率（取表观工作温度T,下的数值），无量纲U,a一试样与调制盘差分光谱信号电压，mV,U:k一一一参比涂料与调制盘差分光谱信号电压，mV,GB7287.10-872.2.8辐射测温仪，精度不低于±1%。注：记录部分也可由A/D转换器，微型计算机及绘图仪组成的记录系统代替，系统精度不低于±2%。2.3参比涂料2.3.1参比涂料应具有下列性质：,化学性质稳定，在测试温度范围内涂覆于各种加热器表面均不发生化学变化：b.当厚度不小于0.2mm时，至少对2.5~15μm的红外辐射不透明：c,光谱法向发射率在测试温度范围内的平均温度变化率小于0.03×102/K,d.全法向发射率大于0.8，光谱辐射特性近似灰体。2.3.2所给参比涂料在测试温度范围内的光谱法向发射率数据，其精度应不低于±4%。3测量条件3.1环境温度20±5℃。3.2相对湿度不大于75%。3.3测量应在防尘防蔑的实验室中进行。4测量步骤4.1对待测试样施加额定工作电压，待温度稳定后，用辐射测温仪测定试样表面温度分布，并确定其中心部位的等温区以及等温区的工作温度，然后断电冷却至室温。4.2将试样固定在试样支架上，周整光学系统达到下列要求：4.2.1探测器光敏面与调制盘平面，光栏平面，试样辐射面及单色仪人射狭缝平面相互平行且共轴：4.2.2光学系统所决定的试样待测面积相对于探测器可作“点源”近似，且位于等温区内并小于等温区面积。4.3将控温仪热电偶焊接或粘接于待测面附近（在等温区内）。用控温仪将待测表面温度控制在其工作温度。待温度稳定后，开启单色仪的扫描装置，使之在2.5~15μm波长范围内进行连续扫描，同时使记录仪的走纸机构与之同步，测出放大系统输出的试样与调制盘差分光谱信号电压U随被长变化的关系曲线。4.4关闭控温仪，试样冷却至室温后，在等温区内均匀涂覆参比涂料，涂覆厚度为0.2mm,涂覆方法与获取其发射率数据的原测量方法中的一致。然后开启控温仪（设定温度与4.3条相同）。温度稳定后，按4.3条的方法测出放大系统输出的参比涂料与调制盘差分光谱信号电压U,随波长变化的关系曲线。4.5.移开试样，测量放大系统输出的背景与调制盘差分光谱信号电压Uw,随波长变化的关系曲线(方法同4.3条)。4.6用辐射测温仪测量等温区的表观工作温度T,。5测量结果计算按下式计算试样在工作温度下的光谱法向发射事，结果保留二位有效数字：8a=02±RaKP2en(UA-Uwa+Rx·K·P。A…△1)式中：￡x一试样在工作福度下的光谱法向发射率，无量纲：:,一一参比涂料在试样工作温度下的光谱法向发射率（取表观工作温度T,下的数值），无量纲U,a一试样与调制盘差分光谱信号电压，mV,U:k一一一参比涂料与调制盘差分光谱信号电压，mV,