GB∕T-5252-2020锗单晶位错密度的测试方法

1cS77.040H21中华人民共和国国家标准GB/T5252-2020代替GB/T5252一2006锗单晶位错密度的测试方法Test method for dislocation density of monocrystal germanium2020-06-02发布2021-04-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布1cS77.040H21中华人民共和国国家标准GB/T5252-2020代替GB/T5252一2006锗单晶位错密度的测试方法Test method for dislocation density of monocrystal germanium2020-06-02发布2021-04-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布GB/T5252-2020前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准代替GB/T5252一2006《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》。本标准与GB/T5252一2006相比，除编辑性修改外主要技术变化如下：一修改了标准适用范围（见第1章，2006年版的第1章）：一增加了规范性引用文件（见第2章）：一修改了术语和定义（见第3章，2006年版的第2章）：修改了方法原理的内容（见第4章，2006年版的第3章）：一将2006年版标准“试样制备”中的试剂材料修改为单独章节（见第5章，2006年版的第4章）：修改了试样制备的要求（见第7章，2006年版的第4章）：一增加了直径110mm、130mm、150mm锗单品的测试点位置（见8.3）：增加了位错腐蚀坑计数的注意事项（见8.5）；一修改了试验数据处理的内容（见第9章，2006年版的第7章）：一以位错密度1000cm-2为分界值，修改了精密度（见第10章，2006年版的第9章）；一修改了试验报告包含的内容（见第11章，2006年版的第8章）。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/T℃203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/T℃203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位：有研光电新材料有限责任公司、北京国品辉红外光学科技有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、中锗科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司。本标准主要起草人：张路、冯德伸、马会超、普世坤、姚康、刘新军、郭荣贵、向清华、韦圣林、黄洪伟文。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：-GB/T5252-1985、GB/T5252-2006。1cS77.040H21中华人民共和国国家标准GB/T5252-2020代替GB/T5252一2006锗单晶位错密度的测试方法Test method for dislocation density of monocrystal germanium2020-06-02发布2021-04-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布1cS77.040H21中华人民共和国国家标准GB/T5252-2020代替GB/T5252一2006锗单晶位错密度的测试方法Test method for dislocation density of monocrystal germanium2020-06-02发布2021-04-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布GB/T5252-2020前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准代替GB/T5252一2006《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》。本标准与GB/T5252一2006相比，除编辑性修改外主要技术变化如下：一修改了标准适用范围（见第1章，2006年版的第1章）：一增加了规范性引用文件（见第2章）：一修改了术语和定义（见第3章，2006年版的第2章）：修改了方法原理的内容（见第4章，2006年版的第3章）：一将2006年版标准“试样制备”中的试剂材料修改为单独章节（见第5章，2006年版的第4章）：修改了试样制备的要求（见第7章，2006年版的第4章）：一增加了直径110mm、130mm、150mm锗单品的测试点位置（见8.3）：增加了位错腐蚀坑计数的注意事项（见8.5）；一修改了试验数据处理的内容（见第9章，2006年版的第7章）：一以位错密度1000cm-2为分界值，修改了精密度（见第10章，2006年版的第9章）；一修改了试验报告包含的内容（见第11章，2006年版的第8章）。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/T℃203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/T℃203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位：有研光电新材料有限责任公司、北京国品辉红外光学科技有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、中锗科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司。本标准主要起草人：张路、冯德伸、马会超、普世坤、姚康、刘新军、郭荣贵、向清华、韦圣林、黄洪伟文。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：-GB/T5252-1985、GB/T5252-2006。GB/T5252-2020锗单晶位错密度的测试方法1范围本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法。本标准适用于{111〉、{100}和{113}面锗单晶位错密度的测试，测试范围为0cm-2~100000cm-2。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T8756锗晶体缺陷图谱GB/T14264半导体材料术语3术语和定义GB/T8756和GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4方法原理锗单品中位错周围的品格会发生畸变，当用某些化学腐蚀剂腐蚀品体表面时，在品体表面上的位错露头处腐蚀速度较快，进而形成具有特定形状的腐蚀坑。在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有特定形状的腐蚀坑，单位视场面积内的腐蚀坑个数即为位错密度。5试剂和材料除非另有说明，测试分析中仅使用确认为分析纯及以上的试剂，所用水的电阻率不小于12M·cm。5.1铁氰化钾[K:Fe(CN):],质量分数不小于99%。5.2氢氧化钾(K0H),质量分数不小于85%。5.3氢氟酸(HF),质量分数不小于40%。5.4硝酸(HNO3),质量分数为65%68%。5.5过氧化氢(H202),质量分数不小于30%。5.6硝酸铜溶液：质量分数为10%，用质量分数不小于99%的Cu(NO3)2配制。5.7抛光液：HF、HNO3的混合液，体积比为1：(1一3)。5.8腐蚀液A:称取铁氰化钾80g、氢氧化钾120g置于烧杯中，用1000mL水溶解，混匀。5.9腐蚀液B:HF、HNO3的混合液，体积比为1：4。5.10腐蚀液C:HF、HNOg、10%Cu(NOg)2溶液的混合液，体积比为2：1：1。5.11腐蚀液D:HF、H2O2、10%Cu(NO3)2溶液的混合液，体积比为2：1：1。5.12碳化硅磨料（金刚砂）或白刚玉粉：粒度不大于14m。1cS77.040H21中华人民共和国国家标准GB/T5252-2020代替GB/T5252一2006锗单晶位错密度的测试方法Test method for dislocation density of monocrystal germanium2020-06-02发布2021-04-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布1cS77.040H21中华人民共和国国家标准GB/T5252-2020代替GB/T5252一2006锗单晶位错密度的测试方法Test method for dislocation density of monocrystal germanium2020-06-02发布2021-04-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布GB/T5252-2020前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准代替GB/T5252一2006《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》。本标准与GB/T5252一2006相比，除编辑性修改外主要技术变化如下：一修改了标准适用范围（见第1章，2006年版的第1章）：一增加了规范性引用文件（见第2章）：一修改了术语和定义（见第3章，2006年版的第2章）：修改了方法原理的内容（见第4章，2006年版的第3章）：一将2006年版标准“试样制备”中的试剂材料修改为单独章节（见第5章，2006年版的第4章）：修改了试样制备的要求（见第7章，2006年版的第4章）：一增加了直径110mm、130mm、150mm锗单品的测试点位置（见8.3）：增加了位错腐蚀坑计数的注意事项（见8.5）；一修改了试验数据处理的内容（见第9章，2006年版的第7章）：一以位错密度1000cm-2为分界值，修改了精密度（见第10章，2006年版的第9章）；一修改了试验报告包含的内容（见第11章，2006年版的第8章）。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/T℃203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/T℃203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位：有研光电新材料有限责任公司、北京国品辉红外光学科技有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、中锗科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司。本标准主要起草人：张路、冯德伸、马会超、普世坤、姚康、刘新军、郭荣贵、向清华、韦圣林、黄洪伟文。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：-GB/T5252-1985、GB/T5252-2006。1cS77.040H21中华人民共和国国家标准GB/T5252-2020代替GB/T5252一2006锗单晶位错密度的测试方法Test method for dislocation density of monocrystal germanium2020-06-02发布2021-04-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布1cS77.040H21中华人民共和国国家标准GB/T5252-2020代替GB/T5252一2006锗单晶位错密度的测试方法Test method for dislocation density of monocrystal germanium2020-06-02发布2021-04-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布GB/T5252-2020前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准代替GB/T5252一2006《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》。本标准与GB/T5252一2006相比，除编辑性修改外主要技术变化如下：一修改了标准适用范围（见第1章，2006年版的第1章）：一增加了规范性引用文件（见第2章）：一修改了术语和定义（见第3章，2006年版的第2章）：修改了方法原理的内容（见第4章，2006年版的第3章）：一将2006年版标准“试样制备”中的试剂材料修改为单独章节（见第5章，2006年版的第4章）：修改了试样制备的要求（见第7章，2006年版的第4章）：一增加了直径110mm、130mm、150mm锗单品的测试点位置（见8.3）：增加了位错腐蚀坑计数的注意事项（见8.5）；一修改了试验数据处理的内容（见第9章，2006年版的第7章）：一以位错密度1000cm-2为分界值，修改了精密度（见第10章，2006年版的第9章）；一修改了试验报告包含的内容（见第11章，2006年版的第8章）。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/T℃203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/T℃203/SC2)共同提出并归口。本标准起草单位：有研光电新材料有限责任公司、北京国品辉红外光学科技有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、中锗科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司。本标准主要起草人：张路、冯德伸、马会超、普世坤、姚康、刘新军、郭荣贵、向清华、韦圣林、黄洪伟文。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：-GB/T5252-1985、GB/T5252-2006。GB/T5252-2020锗单晶位错密度的测试方法1范围本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法。本标准适用于{111〉、{100}和{113}面锗单晶位错密度的测试，测试范围为0cm-2~100000cm-2。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T8756锗晶体缺陷图谱GB/T14264半导体材料术语3术语和定义GB/T8756和GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4方法原理锗单品中位错周围的品格会发生畸变，当用某些化学腐蚀剂腐蚀品体表面时，在品体表面上的位错露头处腐蚀速度较快，进而形成具有特定形状的腐蚀坑。在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有特定形状的腐蚀坑，单位视场面积内的腐蚀坑个数即为位错密度。5试剂和材料除非另有说明，测试分析中仅使用确认为分析纯及以上的试剂，所用水的电阻率不小于12M·cm。5.1铁氰化钾[K:Fe(CN):],质量分数不小于99%。5.2氢氧化钾(K0H),质量分数不小于85%。5.3氢氟酸(HF),质量分数不小于40%。5.4硝酸(HNO3),质量分数为65%68%。5.5过氧化氢(H202),质量分数不小于30%。5.6硝酸铜溶液：质量分数为10%，用质量分数不小于99%的Cu(NO3)2配制。5.7抛光液：HF、HNO3的混合液，体积比为1：(1一3)。5.8腐蚀液A:称取铁氰化钾80g、氢氧化钾120g置于烧杯中，用1000mL水溶解，混匀。5.9腐蚀液B:HF、HNO3的混合液，体积比为1：4。5.10腐蚀液C:HF、HNOg、10%Cu(NOg)2溶液的混合液，体积比为2：1：1。5.11腐蚀液D:HF、H2O2、10%Cu(NO3)2溶液的混合液，体积比为2：1：1。5.12碳化硅磨料（金刚砂）或白刚玉粉：粒度不大于14m。